Енама Езаки

Представяне на героя

Jiangi Ling е роден в Осака, Япония, роден на 12 март 19 г. През 1940 г. той постъпва в турския университет в Киото. През 1944 г. влиза в Токийския императорски университет. Той е известен с Япония. Солиден физик. Jiangyu Ling е най-големият син на архитекта Jiangi. Когато бях млад, музиката, възпроизвеждана от гласовата машина, беше преместена и аз също искам да бъда изобретателят на Едисон като изобретението. Въпреки че приемният изпит за гимназията се проваля, по-късно той се възмущава от Токийския университет и завършва катедрата по физика на Токийския университет. Университетската ера, общежитието на Jiangi под наем е изгорено в Голямата бомба в Токио. Виждайки тази сцена, Jiangi иска да работи в Япония след дипломирането си, така че след дипломирането влезте в корпоративната работа. През 50-те години на миналия век, според теоретичния анализ, се смяташе, че тунелният ефект трябва да се наблюдава в процеса на PN преход, но експериментът не е открит. През 1957 г., когато Jiangyu беше разработен при разработването на нов високочестотен транзистор, имаше необичайно отрицателно съпротивление в предните волтаметрични характеристики на силно легирани и тесни PN преходи. Чрез теоретичен анализ той вярва, че тази характеристика на отрицателното съпротивление се формира от зоната на директно проникване на електронния отвор, като по този начин предоставя убедителни доказателства за тунелния ефект. През 1957 г. университетът Дзянсу завършва 10 години и той получава дългоочакваната докторска степен с това постижение. В последвалото проучване той изобретява тунелна вторична тръба, образувана от тунел. Изобретяването на тунелния диод отвори нова изследователска област - тунелният ефект в твърдото тяло.

Личен живот

Баща: Jiang Si Zhuang Lang, архитект.

История на изследванията

През 1944 г. Jiangi постъпва в Токийския имперски университет в Япония, специализиран да атакува експерименталната физика. През 1947 г. получава магистърска степен (по-късно през 1959 г. поради докторска степен), след което служи в Kobe Industrial Co., Ltd. започва изследвания като полупроводници като германий и силиций като транзисторни материали. През 1956 г. той става изследовател на Tokyo Communication Industry Co., Ltd. (Sony), изследването на силно легиран германий и силиций, това изследване В резултат на това е изобретяването на тунелния диод.

Така нареченият „феномен на тунела“ се отнася до необходима енергийна бариера (не твърде голяма) от гледна точка на класическата теория на електронното случайно направление. Открит е в юктурала през 20-те години на миналия век. В ранните дни на тригодишното развитие на квантовата механика хората се опитват да използват тунелни ефекти за явления на частичен поток и контактно съпротивление, но теоретичните предвиждания и експерименталните наблюдения многократно си противоречат. През петото десетилетие, с появата на полупроводниковите PN, отново се развива изследването на тунелния процес. Според теоретичния анализ ефектът на тунелиране трябва да се наблюдава в процеса на контраатака на PN преход. Но експериментът никога не е потвърдил. През 1957 г. Jiangi разработва високочестотен транзистор; неочаквано установи, че силно легираният тесен PN преход е в положителните характеристики на волт-ампитет, има "ненормално" отрицателно съпротивление и докато едно увеличение е суров материал, съдържащ голямо количество примеси. Когато напрежението на диода, веднага се вижда, че токът се увеличава от напрежението. Той вярва, че тази характеристика на отрицателно съпротивление се дължи на директното проникване на електронната дупка и осигурява мощно експериментално доказателство за тунелния ефект. Той също така установи, че полупроводникът (две тръби с отрицателно съпротивление) като нов електронен компонент може да се приложи към превключващата верига и осцилаторната верига, както и към високоскоростната верига (като електронен компютър), което е сензация по това време. Изобретението на света.

През 1958 г. Xi Jiangxi публикува статия за "тунелен диод", която е началото на Нобеловия бонус за физика. По-късно хората нарекоха "Тунелен диод" като "Дзянги диод" с неговото име. През втората година той също публикува статия за изобретяването на управлението и неговия механизъм и по този начин получава Renke Fangxiong, най-високото отличие на Japanese Learn, Мемориална награда . След това през 1960 г. е получена наградата на издателите и m е получен през 1961 г. Мемориален бонус на Н. Либеман Медал на Барантан от Франклин институт. ITALY School of Sciences също му дава награди. Поради приноса на "тунелните ефекти" в полупроводниците и свръхпроводниците. Jiang Shi сподели Нобеловия бонус по физика от 1973 г. 1974 г. Японското правителство награждава медал за култура .

Jiangsu Saki е избран за академици на Японската академия на науките през 1975 г. Академик на Националната академия на науките е избран през 1977 г., 1977 г. става академик на Американската национална академия по инженерство.

предлага теория на полупроводниковата суперрешетка