Enama Ezaki

Představení postavy

Jiangi Ling se narodil v Ósace v Japonsku, narodil se 12. března 19. V roce 1940 vstoupil na tureckou univerzitu v Kjótu. V roce 1944 vstoupila na Tokijskou Imperial University. Je známý pro Japonsko. Solidní fyzik. Jiangyu Ling je nejstarší syn architekta Jiangiho. Když jsem byl mladý, hudba hraná hlasovým automatem byla přesunuta a také chci být vynálezcem Edisona jako vynález. Přestože přijímací zkouška na střední školu neuspěla, později se rozhořčil na Tokijskou univerzitu a vystudoval katedru fyziky na Tokijské univerzitě. Univerzitní éra, kolej Jiangi rent je spálena ve velké bombě v Tokiu. Když Jiangi vidí tuto scénu, chce po promoci pracovat v Japonsku, takže po promoci vstoupíte do podnikové práce. V 50. letech 20. století se podle teoretické analýzy uvažovalo, že tunelovací efekt by měl být pozorován v procesu PN přechodu, ale experiment nebyl objeven. V roce 1957, kdy byl Jiangyu vyvinut ve vývoji nového vysokofrekvenčního tranzistoru, došlo k abnormálnímu zápornému odporu v dopředných voltametrických charakteristikách vysoce dopovaných a úzkých PN přechodů. Prostřednictvím teoretické analýzy se domnívá, že tato negativní odporová charakteristika je tvořena oblastí přímého průniku elektronické díry, čímž poskytuje silný důkaz pro tunelový efekt. V roce 1957 absolvoval Jiangsu University 10 let a tímto úspěchem získal dlouho očekávaný doktorát. V následné studii vynalezl tunelovou sekundární trubku tvořenou tunelem. Vynález tunelové diody otevřel novou oblast výzkumu – tunelový efekt v pevné látce.

Osobní život

Otec: Jiang Si Zhuang Lang, architekt.

Historie výzkumu

V roce 1944 Jiangi vstoupil na japonskou Tokijskou Imperial University specializovanou na útoky na experimentální fyziku. V roce 1947 získal magisterský titul (později v roce 1959 kvůli doktorskému titulu), poté sloužil Kobe Industrial Co., Ltd. začal výzkum jako polovodiče jako germanium a křemík jako tranzistorový materiál. V roce 1956 se stal výzkumným pracovníkem Tokyo Communication Industry Co., Ltd. (Sony), výzkum vysoce dopovaného germania a křemíku, tento výzkum V důsledku toho je způsoben vynález tunelové diody.

Takzvaný „tunelový fenomén“ označuje nepostradatelnou energetickou bariéru (ne příliš velkou) z pohledu klasické teorie elektronického náhodného směru. Byl objeven v juxtural ve 20. letech 20. století. V počátcích tříletého vývoje kvantové mechaniky se lidé pokoušeli využít tunelových efektů k jevům částečného proudění a kontaktnímu odporu, ale teoretické předpovědi a experimentální pozorování si opakovaně protiřečily. V pátém desetiletí, se vznikem polovodičových PN, se opět rozvinul výzkum tunelového procesu. Podle teoretické analýzy by měl být tunelovací efekt pozorován v procesu protiútoku PN přechodu. Experiment se ale nikdy nepotvrdil. V roce 1957 Jiangi vyvíjel vysokofrekvenční tranzistor; neočekávaně zjištěno, že vysoce dotovaný úzký PN přechod je v kladné voltampérové ​​charakteristice, je zde „abnormální“ záporný odpor a pokud je jedním nárůstem surovina obsahující velké množství nečistot, když napětí diody, resp. okamžitě je vidět, že proud se zvyšuje o napětí. Věří, že tato negativní odporová charakteristika je způsobena přímým průnikem elektronické díry a poskytuje silný experimentální důkaz tunelového efektu. Zjistil také, že polovodič (dvě elektronky se záporným odporem) jako novou elektronickou součástku lze aplikovat na spínací obvod a obvod oscilátoru a vysokorychlostní obvod (jako je elektronický počítač), což je v té době senzace. Vynález světa.

V roce 1958 vydal Xi Jiangxi článek o „tunelové diodě“, což je začátek Nobelovy prémie za fyziku. Později lidé pojmenovali „Tunnel Diode“ jako „Jiangi Diode“ s jeho jménem. Ve druhém roce také publikoval článek o vynálezu řízení a jeho mechanismu a získal tak Renke Fangxiong, nejvyšší vyznamenání japonského učení, Memorial Award . Poté, v roce 1960, byla získána odměna vydavatelů a m byl získán v roce 1961. Pamětní bonus N. Libemana Barantan Medal od Franklin Ústav. ITÁLIE School of Sciences mu také uděluje ocenění. Kvůli přispění „tunelových efektů“ v polovodičích a supravodičích. Jiang Shi sdílel v roce 1973 Bonus za Nobelovu cenu za fyziku . 1974 japonská vláda udělila kulturní medaili .

Jiangsu Saki byl vybrán jako akademici Japonské akademie věd v roce 1975. Akademik Národní akademie věd byl vybrán v roce 1977, v roce 1977 se stal akademikem Americké národní akademie inženýrství.

navrhuje teorii polovodičové supermřížky