Domov Technika Princip a technologie růstu krystalů

Princip a technologie růstu krystalů



Úvod

Druhá kapitola je technickým základem růstu krystalů. Proces růstu krystalů je rozdělen do 3 kapitol zahrnujících transportní chování (přenos hmoty, přenos tepla, konvekce), základní chemické problémy (včetně problematiky čištění materiálu a syntézy) a komplexní analýzu fyzikálního základu (principy elektřiny, magnetismu a platnost). Třetí kapitola je technologie růstu krystalů. Je rozdělena do 4 kapitol, aby provedla nejnovější vývoj tavné metody růstu krystalů založené na Bridgmanově metodě, tavné metody růstu krystalů založené na Czochralského metodě, roztokové metody růstu krystalů a technologie růstu krystalů v plynné fázi a nejnovější vývoj ve 4 kapitolách. Úvod. Čtvrtá část je rozdělena do 2 kapitol, které pojednávají o vzniku a kontrole defektů v procesu růstu krystalů a metodách charakterizace krystalové struktury a výkonu. "Principy a techniky růstu krystalů" si mohou přečíst vědečtí a techničtí pracovníci zabývající se růstem krystalů a mohou být také použity jako výuková příručka pro postgraduální studenty v této oblasti.

Katalog knih

Předmluva

První článek o základních principech růstu krystalů

Kapitola 1 Úvod

1.1 Základní pojmy krystalů

1.1.1 Strukturní charakteristiky krystalů

1.1.2 Krystalová struktura a mřížka

1.1.3 Orientace krystalu a krystalová rovina

/p>

1.1.4 Přehled poruch krystalové struktury

1.2 Krystalové materiály

1.2.1 Krystalová struktura běžných krystalických materiálů

1.2.2 Krystalové materiály klasifikované podle funkce

1.3 Vývoj technologie růstu krystalů

1.4 Základy technologie růstu krystalů a její propojení s dalšími obory

Reference

Kapitola 2 Termodynamické principy růstu krystalů

2.1 Fáze a termodynamický popis procesu růstu krystalů

2.1.1 Struktura plynu a termodynamický popis

2.1.2 Struktura kapaliny a termodynamický popis

2.1.3 Struktura pevné látky a termodynamické parametry

2.1.4 Fázové rozhraní a termodynamická analýza

< p>2.1.5 Termodynamické podmínky pro růst krystalů

2.2 Termodynamické principy růstu elementárních krystalů

2.2.1 Termodynamická rovnováha během růstu elementárních krystalů

2.2. 2 Termodynamické podmínky a hnací síly pro růst kapalné a parní fáze

2.2.3 Termodynamické podmínky pro rekrystalizaci v pevné fázi

2.3 Termodynamické principy růstu krystalů v binárních soustavách

2.3.1 Chemický potenciál v binárních slitinách

2.3.2 Rovnováha rozhraní kapalina-pevná látka a segregace rozpuštěné látky

2.3.3 Rovnováha plyn-kapalina a plyn-pevná látka

/p>

2.4 Termodynamická analýza růstu krystalů vícesložkového systému

2.4.1 Volná energie vícesložkového systému

2.4.2 Podmínky termodynamické rovnováhy krystalizace vícesložkového systému

p>

2.4.3 Aplikace technologie výpočtu fázového diagramu

2.5 Termodynamický princip růstu sloučenin

2.5.1 Termodynamická analýza procesu rozkladu a syntézy sloučenin

< p>2.5.2 Zjednodušené zpracování komplexních binárních a víceprvkových soustav sloučenin

2.5.3 Nestechiometrické odchylky složení krystalů sloučenin a defekty krystalové struktury

2.5.4 Melt Krátký řád a asociační sloučenina v médiu

Reference

Kapitola 3 Kinetický princip růstu krystalů

3.1 Mikrostruktura krystalového rozhraní

3.1.1 Klasický model struktury krystalového rozhraní

3.1.2 Montc-Carlo(MC) simulace struktury rozhraní

3 .2 Proces migrace atomu a rychlost růstu krystalového rozhraní

3.3 Vnitřní morfologie růstu krystalů

3.3.1 Termodynamická analýza morfologie růstu krystalů

3.3. 2 Kinetický popis morfologie růstu krystalů

Reference

Kapitola 4 Princip tvorby aktuální morfologie růstu krystalů

4.1 Hnací síla růstu krystalů a rozhraní planárních krystalů Nestabilita

4.2 Podmínky vzniku a morfologie růstu dendritů

4.3 Růst pole dendritů

4.3.1 Model lovu

4.3.2 Model KurZ-Fisher

4.3.3 Numerický model Lu-Hunt

4.4 Silně anizotropní krystalová morfologie nuceného růstu

4.5 Vícefázový synergický růst

4.5.1 Hypoeutektický růst

4.5.2 Eutektický růst

4.5.3 Monotektický růst

4.5. 4 Peritektický růst

Reference

Kapitola 5 Princip nukleace procesu růstu krystalů

5.1 Homogenní nukleační teorie

5.1.1 Teorie homogenní nukleace v tavenině

5.1.2 Homogenní nukleace v plynné a pevné fázi

5.1.3 Vývoj teorie homogenní nukleace

/p>

5.2 Heterogenní nukleace

5.2.1 Základní principy heterogenní nukleace

5.2.2 Nukleace během heteroepitaxního růstu

>

5.3 Nukleace v procesu krystalizace vícesložkových a vícefázových slitin

5.3.1 Nukleace ve vícesložkovém médiu

5.3.2 Analýza vícefázového nukleačního procesu

/p>

5.4 Nukleační problémy za zvláštních podmínek

5.4.1 Nukleace v roztoku

5.4.2 Elektrochemická nukleace

5.4.3 Nukleace v procesu krystalizace superkritických kapalin

Reference

Druhý technický základ růstu krystalů

Kapitola 6: Proces růstu krystalů Dopravní problém

6.1 Princip přenosu hmoty v procesu růstu krystalů

6.1.1 Základní rovnice difúze rozpuštěné látky

6.1.2 Podmínky roztoku a metody analýzy difúzního procesu

6.1.3 Povaha difúzního koeficientu a způsob jeho úpravy

6.1.4 Charakteristiky difúze během růstu krystalů

6.1.5 Vícesložková kooperativní difúze

6.1.6 Difúze působením vnějšího pole

6.2 Principy přenosu tepla při růstu krystalů

6.2.1 Vedení tepla během růstu krystalů

< p>6.2.2 Přenos tepla zářením během růstu krystalu

6.2 .3 Přenos tepla konvekcí a přenos tepla na rozhraní během růstu krystalu

6.2.4 Metody měření a regulace a techniky teplotního pole během růstu krystalů

6.3 Tok kapalné fáze během růstu krystalů

p>

6.3.1 Příčina a klasifikace proudění

6.3.2 Viskozita kapaliny

6.3.3 Rozhodující rovnice proudění tekutiny

6.3. 4 Podmínky řešení a metody analýzy procesu proudění tekutin

6.3.5 Koncepce laminárního proudění a turbulentního proudění a analýza typického procesu laminárního proudění

6.3.6 Dvojitá difúzní konvekce

6.3.7 Marangoni konvekce

Reference

Kapitola 7 Chemické problémy v procesu růstu krystalů

7.1 Chemické principy související s procesem růstu krystalů

/p>

7.1.1 Chemické reakce v procesu růstu krystalů

7.1.2 Hlavní chemické vlastnosti a chemické zákony látek

7.1.3 Principy kinetiky chemických reakcí

p>

7.1.4 Tepelný účinek procesu chemické reakce

7.1.5 Velikostní vliv chemické reakce

7.1.6 Další chemické problémy procesu růstu krystalů

< p>7.2 Čištění surovin

7.2.1 Metoda zplyňování-kondenzace

7.2.2 Metoda extrakce

7.2.3 Metoda čištění elektrolýzou

7.2.4 Metoda zónového tavení

7.3 Princip syntézy materiálů pro růst krystalů

7.3.1 Přímá reakční syntéza taveniny

7.3.2 V roztoku Reaktivní syntéza

7.3.3 Syntéza reakce v plynné fázi

7.3.4 Syntéza reakce na pevné fázi

7.3.5 Samo se šířící syntéza

Reference

Kapitola 8 Úloha fyzikálního pole v procesu růstu krystalu

8.1 Princip tlaku v procesu růstu krystalů

8.1.1 Tlak v gravitačním poli

8.1.2 Charakteristika a vliv mikrogravitačního pole

8.1.3 Charakteristika a vliv supergravitačního pole

8.1.4 Vysokotlaká technologie pro proces růstu krystalů

8.2 Analýza napětí během růstu krystalů

8.2.1 Základní rovnice výpočtu pole napětí

8.2.2 Metoda analýzy pole napětí

< p>8.2.3 Plastická deformace pod napětím

8.2.4 Napětí v tenkovrstvých materiálech

8.3 Princip elektrického pole v procesu růstu krystalů

8.3.1 Vlastnosti elektrické vodivosti materiálů

8.3.2 Dielektrické vlastnosti materiálů

8.3.3 Elektrické principy související s růstem krystalů

8.3 .4 Příklady použití elektrického pole v procesu růstu krystalů

……

Kapitola 3 Technologie růstu krystalů

Kapitola 9 Růst krystalů metodou taveniny (1) ——Bridgmanova metoda a podobné zákony

Kapitola 10 Růst krystalů metodou taveniny (1)—— Metoda CZ a další metody růstu taveniny

Kapitola 11 Metoda řešení růst krystalů

Kapitola 12 Metody růstu krystalů v parní fázi

Kapitola čtvrtá Analýza a charakterizace krystalových vad

Kapitola 13 Tvorba a kontrola krystalových defektů

Kapitola 14 Struktura a výkonnostní charakteristika krystalů

Reference

Tento článek je ze sítě, nereprezentuje pozici této stanice. Uveďte prosím původ dotisku
HORNÍ